解析度10μ瓷飞厂是下定了决心,肖总远赴京城,但高振东这边的事情,还远远没完。此时的他,正在拿着防工委发过来的另一位五爷——轰炸机的资料,细细的计算着丶考虑着。他想撬动的可不只是攻-5装雷达这个事情。就在他算得入神的时候,门被敲响了。高振东起身开门,门口是易中海和五道口分来的师妹马娟,马娟性格虽然比较直,有些男子的英气,但是心却是很细的,正合适代表分厂的电子实验室跟进一下光刻机的组装事宜。「高师兄,好消息好消息!」马娟不像伍升远那麽一板一眼,在单位也叫高师兄,高振东听得还挺爽。「光刻机组装好了?」她和易中海一起过来,除了这个不可能有别的。「嗯嗯嗯,装好了,我们先试了试,各指标完全达标。」「太好了,走,看看去。」高振东把手上的东西一收,站起身就往光刻机试制车间走。易中海和马娟跟在后面,马娟笑道:「我们来的意思,就是想请你去主持一下最终的套刻精度试验。」高振东连连点头:「嗯,要试,要试。走!走!」其他的指标,可以说易中海带着大师傅们,在马娟的配合下基本上都完成了,这个套刻精度,算是最终的综合检验。走进光刻机试制车间,透过玻璃看向超净室,展现在高振东面前的是一个像是化学试验室里通风试验橱的东西,或者说是像搞生物的带生物防护的显微装置,别的都看不出干啥的,就是那台显微镜贼显眼。这台显微镜是用来人工对准和检查用的,主要解决套刻时的对准问题。高振东在掩模上设计了对准标志,但是对准这个操作,在这台光刻机上是人工操作,那台显微镜就是用来干这些事情的。按说这机器高振东来来去去,改来改去也见过不少次了,可以算是老夥计了,但是这次看见,还是心里泛起了一阵激动。可算是有结果了,这东西在高振东心里已经不是一台设备,而是一股气。高振东前世,在网上对线多年,对手能喷的东西,从逮着啥就能喷啥,慢慢演变为能喷啥才说啥。最后乾脆成钉子户了,就在那少数几个领域蹲着不走了,任你东南西北风,我自巍然不动,嘴里只是说着「对呀对呀!……光刻机有几种光源,你知道麽?」高振东看得愈不耐烦,拿着键盘走远。走远归走远,这几样东西的确是到他穿越为止,还没完全拿下的,至少是高端的没拿下,光刻机就是其中一种。他妈的,这辈子老子自己造一个玩玩,有几种光源我不知道,但是我知道这台能用,而且还挺好!高振东自己也换上防护服,和几名试验人员走进了超净室。试验人员早就把试验准备做好了,走进来之后,打开了几个开关,然后示意高振东:「高总,可以了。」高振东拿起专用夹具,从带乾燥剂的矽片架里,小心的夹起了一片单晶矽片,放到了工件台上,然后扳动开关,矽片被吸附固定。这些单晶矽片已经经过清洗丶乾燥等处理,对光刻胶的附着力此时是最大的。然后高振东退后一步,将接下来的试验交给了马娟。要的就是一开始的那个爽感,至于具体操作,这些试验人员比他手脚麻利多了,专业的事情还是交给专业的人去做。要说高振东这个光刻机原始,那是真的原始,固定好矽片后,马娟开动开关,矽片开始旋转。这是高振东的设计,一步到位,光刻胶的涂布,他直接上了旋涂法,前世我们最早的光刻机是用什麽方法涂布他不知道,但他知道综合性能肯定是旋涂法最好。旋涂法在单晶矽片这种平坦的简单表面涂布,平坦化能力强,容易控制厚度,涂层密度大,厚度均匀,不是没有缺陷,但是可以接受和处理。旋转很快达到了预设的转速,在涂料确定的情况下,涂层厚度这些涂布结果参数与转速高度相关,旋转的同时,工件台也在对矽片进行加热,这是为了进一步去除表面重新附着的水汽。这些小细节,都是高振东从前世带过来的,不起眼,但是很重要。
加热时间满足预设要求之后,旋转也早已稳定,马娟拿起了滴管。没错,就是化学试验用的那种滴管,一点儿都不高大上,但是对于高振东这个光刻机来说够用了。滴管天生就有不太精确的计量功能,例如一毫升水大概是15滴,总之就是当液体的粘稠度确定的话,那从滴管滴出来的每滴液体的体积基本上是一致的,换支滴管也是一样,只要是正常的滴管都一样。多馀的光刻胶会被旋转的矽片给甩出去的,这也是旋涂的优点。马娟往旋转的矽片中心滴了一些光刻胶,光刻胶很快随着旋转,沿着矽片表面匀开来,非常均匀,仿佛不存在一样。这也是托光刻胶和矽片的粘附性很好的福,否则在上光刻胶之前,还得上一遍衬底,以加强光刻胶的附着。矽片缓缓停止旋转,此时,工件台再次开始对矽片进行加热,这是在固化光刻胶。固化完成后,马娟开始按动电钮,调整工件台,将矽片置于光学系统下的合适位置。虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160直径的投影范围,不过考虑到拉晶的成品率,以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因,现在还是将矽片的规格定在了130,也就是大概5英寸的样子,不过这是我们的原生工艺,自然就不会用英寸作为矽晶圆的计量单位。作为最早最原始的光刻机,高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻,这种方式矽片和掩模直接接触,解析度比接近式要高。但接触式光刻,矽片上的光刻胶或者个别灰尘,会污染和损坏掩模,用来搞研究可以,搞批产不太好。他跨过接触式光刻,使用了接近式光刻,实际光刻的时候矽片和掩模之间有一个极小的距离,在10μ这个数量级,这样就可以避免掩模的损坏了。坏处嘛,接近式光刻的解析度比接触式的要差,最好的情况,大概在2μ的样子,这对于高振东现在来说是够用的。使用接近式光刻,掩模和工件是分开的,这对于搞自动化光刻是有利的,这就是高振东将掩模放进光学系统的原因,掩模在光学系统里基本不动,运动的是工件台。找平之后,工件台控制矽片向掩模接近,最终达到设计中所设定的距离——20μ。这一次不用太过仔细的对齐,因为是完)